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          反射式高能電子衍射(RHEED)

          • 差分式反射式高能電子衍射儀TorrRHEED
          差分式反射式高能電子衍射儀TorrRHEED

          差分式反射式高能電子衍射儀TorrRHEED

          • 差分式反射式高能電子衍射儀TorrRHEED
          • 產品描述:差分式反射式高能電子衍射儀(RHEED)用于高氣壓活潑氣體氛圍薄膜生長系統,如PLD,MOMBE,CVD等。由于高氣壓活潑氣體氛圍下影響RHEED燈絲的使用壽命,以及氣體分子對電子束斑散射和折射影響RHEED衍射圖譜。因此選擇差分反射式高能電子衍射儀TorrRHEED。
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          差分式反射式高能電子衍射儀TorrRHEED用于高氣壓活潑氣體氛圍薄膜生長系統,如PLD,MOMBE,CVD等。由于高氣壓活潑氣體氛圍下影響RHEED燈絲的使用壽命,以及氣體分子對電子束斑散射和折射影響RHEED衍射圖譜。因此選擇差分反射式高能電子衍射儀TorrRHEED。

          它可用于原位觀察外延薄膜生長情況,為改進生長條件提供依據。反射高能衍射具有較高的表面靈敏度(10~40埃),但它不僅限于作單晶表面結構分析,也可用于多晶、孿晶、無定形表面及微粒樣品的表面結構分析。也可用來作物相鑒定、測定晶體取向和原子位置。此外,電子衍射可以用來測定晶體的空間群。


          RHEED特點:

          電子槍能量范圍:30keV~50keV

          工作氣壓范圍:一級差分10mTorr,二級差分100mTorr

          高性能電子槍:高亮度、小斑點、低分散、極低放氣率

          熒光屏:鍍鋁保護涂層

          遠程控制:實現電子束聚焦、偏轉及電子閘門功能

          電子束偏轉角度:±15°


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